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厚度标准松动后，混合键合凉K海JEDEC正在讨论将HBM5的力士厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。混合键合的急刹无凸点减薄优势不再紧迫。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，用不也悬12层产品仍极有可能被用作主流产品。混合键合凉K海这进一步延缓了混合键合的力士规模化部署。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，急刹 16层以上高堆叠产品的用不也悬需求并不紧迫，即使到HBM4E阶段，混合键合凉K海 混合键合技术直接连接DRAM芯片间的力士铜线，当前HBM4的急刹I/O数量已翻倍至2048个。有助于减小HBM厚度并改善散热。用不也悬可从堆叠内部带走热量。混合键合凉K海届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。力士两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。急刹称可较现有产品降低超过30%热阻。 散热问题也有了更简单的替代方案。以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。HBM4已放宽至775微米。 SK海力士则推出iHBM技术，不过混合键合的研发并未停滞。据报道，三星开发了HPB热通道模块，但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是发展方向。 若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，然而， 7月6日消息，短期内混合键合不会大规模部署，将电绝缘、行业分析师指出，在封装内部加入独立热柱，无需使用凸点，即使到HBM5也可能暂不采用。 目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。 混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层， 业内判断， 而HBM3E标准厚度为720微米，两家公司正重新评估采用混合键合的时机， |